HF Vapor Phase Etcher
HF氣相蝕刻機(jī)
VPE系列
VPE系統(tǒng)由一個(gè)反應(yīng)室和一個(gè)蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中，用于控制待蝕刻襯底的溫度。晶圓夾持可以通過兩種方式實(shí)現(xiàn)：一種是使用夾持環(huán)機(jī)械夾持晶圓。螺絲從設(shè)備的背面進(jìn)行固定，永遠(yuǎn)不與氫氟酸（HF）蒸氣接觸。這三個(gè)螺母帶有保護(hù)手套易于操作。另一種選擇是靜電夾持。單個(gè)芯片（長(zhǎng)度超過10毫米）以及晶圓可以?shī)A持到加熱元件上，保護(hù)晶圓背面免受蝕刻影響。
液態(tài)氫氟酸（HF）被注入反應(yīng)室中。反應(yīng)室用蓋子密封。在室溫下，液態(tài)HF蒸發(fā)產(chǎn)生HF蒸氣，蝕刻過程隨即開始。蝕刻速率由可以調(diào)節(jié)的晶圓溫度控制，溫度范圍從35°C到60°C。
處理完成后，酸可以存儲(chǔ)在一個(gè)密封容器中的儲(chǔ)液池中，以便重新使用。液體轉(zhuǎn)移簡(jiǎn)單地通過降低帶有手柄的傳輸儲(chǔ)液池來完成。由于重力作用，酸流入儲(chǔ)液池，并可以通過兩個(gè)閥門關(guān)閉。重新填充反應(yīng)室是通過打開閥門并提起手柄完成的，酸就會(huì)流入反應(yīng)室。這種酸可以多次用于蝕刻，直到需要更換。VPE系統(tǒng)占地面積小，可以輕松集成到現(xiàn)有的流通箱中。
溫度控制反應(yīng)室
為了穩(wěn)定二氧化硅的蝕刻速率，我們使用一個(gè)具有溫度控制液態(tài)HF的反應(yīng)室。液態(tài)HF的溫度會(huì)隨著潔凈室環(huán)境溫度的變化而變化。此外，在長(zhǎng)時(shí)間的蝕刻過程中，液態(tài)HF會(huì)加熱，導(dǎo)致從一個(gè)晶圓到另一個(gè)晶圓的蝕刻速率逐漸增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來。
為了穩(wěn)定蝕刻速率，我們有一個(gè)帶有溫度控制的反應(yīng)室，可以通過額外的控制器調(diào)節(jié)HF的溫度。將HF酸加熱至某個(gè)閾值以上可以在蝕刻過程中保持溫度穩(wěn)定。
