HF Vapor Phase Etcher
HF氣相蝕刻機
VPE系列
VPE系統(tǒng)由一個反應室和一個蓋子組成。加熱元件集成在蓋子中，用于控制待蝕刻襯底的溫度。晶圓夾持可以通過兩種方式實現(xiàn)：一種是使用夾持環(huán)機械夾持晶圓。螺絲從設備的背面進行固定，永遠不與氫氟酸（HF）蒸氣接觸。這三個螺母帶有保護手套易于操作。另一種選擇是靜電夾持。單個芯片（長度超過10毫米）以及晶圓可以夾持到加熱元件上，保護晶圓背面免受蝕刻影響。
液態(tài)氫氟酸（HF）被注入反應室中。反應室用蓋子密封。在室溫下，液態(tài)HF蒸發(fā)產(chǎn)生HF蒸氣，蝕刻過程隨即開始。蝕刻速率由可以調(diào)節(jié)的晶圓溫度控制，溫度范圍從35°C到60°C。
處理完成后，酸可以存儲在一個密封容器中的儲液池中，以便重新使用。液體轉(zhuǎn)移簡單地通過降低帶有手柄的傳輸儲液池來完成。由于重力作用，酸流入儲液池，并可以通過兩個閥門關閉。重新填充反應室是通過打開閥門并提起手柄完成的，酸就會流入反應室。這種酸可以多次用于蝕刻，直到需要更換。VPE系統(tǒng)占地面積小，可以輕松集成到現(xiàn)有的流通箱中。
溫度控制反應室
為了穩(wěn)定二氧化硅的蝕刻速率，我們使用一個具有溫度控制液態(tài)HF的反應室。液態(tài)HF的溫度會隨著潔凈室環(huán)境溫度的變化而變化。此外，在長時間的蝕刻過程中，液態(tài)HF會加熱，導致從一個晶圓到另一個晶圓的蝕刻速率逐漸增加，直到系統(tǒng)穩(wěn)定下來。
為了穩(wěn)定蝕刻速率，我們有一個帶有溫度控制的反應室，可以通過額外的控制器調(diào)節(jié)HF的溫度。將HF酸加熱至某個閾值以上可以在蝕刻過程中保持溫度穩(wěn)定。
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