Polygon Physics IE-GUN | ECR source for high energy beams Plug & Play up to 50kV 高能束流的電子源,離子源

 

IE 離子槍是我們的單腔電子回旋共振(ECR)源模塊,用于即插即用的高能離子或電子束。它的配置電壓可達 50 千伏,可安裝在任何帶有 160 毫米(低于 30 千伏時為 100 毫米)CF 或 LF 法蘭且具備足夠抽速的真空系統(tǒng)上。只需插入即可,無需高壓平臺。
束流操作
這些束流由獲得專利的微型電子回旋共振(ECR)源(COMIC)產(chǎn)生,并通過雙間隙系統(tǒng)引出,該系統(tǒng)可讓您調(diào)整束流形狀(會聚、平行或發(fā)散)。您可以在此處找到更多關(guān)于該技術(shù)的信息。引出的電流可通過三個參數(shù)進行調(diào)節(jié):超高頻(UHF)功率、源氣體壓力以及 ECR 腔出口處的電場強度(由相對于束流電壓的聚焦電壓決定)。

軟件

該軟件的源程序配有一個用戶友好的控制與監(jiān)測界面,可讓您對光束進行調(diào)校、記錄數(shù)據(jù)并運行存儲的方案。此外,還提供 Labview 驅(qū)動程序,以便將我們的軟件與其他系統(tǒng)集成。

 

自由定位選項
對于在給定真空系統(tǒng)內(nèi)對源進行自由定位,我們還提供一種靈活版本,無需剛性支撐。使用與真空兼容的絕緣支架將其安裝在您想要的任何位置,該支架用于固定源體。這對于源需要相對于樣品移動的應(yīng)用(如離子束修形(IBF)),或者對于系統(tǒng)對源模塊在系統(tǒng)上的安裝位置以及光束所需位置存在限制的應(yīng)用可能會有意義。

高壓平臺兼容選項

如果您已經(jīng)配備了高壓平臺,我們的高壓平臺兼容版本可能更為合適。在此適配方案中,源端與安裝法蘭不再進行電氣隔離。因此,源端與法蘭之間的距離可以縮短。

 

構(gòu)建你自己的多源系統(tǒng)

組裝一套屬于你自己的用于制備多組分薄膜的定制離子束沉積系統(tǒng)。通過在共焦幾何結(jié)構(gòu)中使用多個離子源,可以獲得均勻的薄膜。每個離子源濺射各自的靶材。靶材可以是從手工切割的金屬箔片到燒結(jié)顆粒等任何材料。

IE 槍在實際應(yīng)用中的案例(用戶應(yīng)用):
?離子束濺射沉積非晶硅和氧化物薄膜,旨在獲得具有低光吸收和低機械損耗的涂層,以用于性能更優(yōu)的引力波探測器。薄膜的良好特性歸因于我們離子源的沉積特性和潔凈度。您可以在此處了解更多相關(guān)信息。
?IE 槍作為靜電加速器的電離源和注入器,用于研究多環(huán)芳烴分子(PAHs)的冷卻動力學(xué)。多環(huán)芳烴被認為是星際介質(zhì)中特征紅外發(fā)射帶的可能載體。對于此應(yīng)用,我們離子源能夠在不使氣體分子裂解的情況下使其電離(“軟電離”),這一能力激發(fā)了用戶對該離子源的興趣。

 

技術(shù)數(shù)據(jù)

源模塊配備 19 英寸電源機架、SMA 和高壓電纜、電源線以及 USB 軟件。不包括源氣體、源冷卻系統(tǒng)(世偉洛克 6 毫米管件)和個人電腦。離子注入槍可根據(jù)您的特定需求定制。如需了解相關(guān)可能性,請聯(lián)系我們,或查看我們關(guān)于定制束流解決方案的頁面。30kV 及以下型號的規(guī)格:

 


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