標準 PLD 系統(tǒng)
PREVAC 標準 PLD 系統(tǒng)包括一個沉積工藝室和一個負載鎖定室，用于輕松快速地加載基板。
脈沖激光沉積 （PLD） 獨立系統(tǒng)適用于異磁膜、陶瓷氧化物、高溫超導材料、金屬多層膜等的生長。
特征
- 滿足 PLD 生長過程領(lǐng)域大多數(shù)研究需求的多功能解決方案
- 適用于異磁膜、陶瓷氧化物、高溫超導材料、金屬多層膜等
的生長 - 垂直PLD 工藝幾何形狀
- 帶有激光束驅(qū)動系統(tǒng)的準分子或?YAG?激光器
- 1-4 軸，電動或手動，帶接收站的基板機械手，能夠達到高達 1400°C 的高溫（帶有由固體 SiC 制成的穩(wěn)定、長壽命的加熱器元件）
- 不同的基板支架尺寸：從 10×10 mm 到 2 英寸
- 帶有原位目標交換系統(tǒng)的六位目標機械手
- 目標支架尺寸：1 或 2 英寸
- 全自動或手動靶材和基物轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
- 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面
- 極限壓力從?1×10?起-8至 5×10-11?mbar 的 mbar 取決于泵送系統(tǒng)?
- 工藝室? 490 mm，帶附加端口
- 泵送系統(tǒng)（基于前級泵、TMP、離子泵和TSP）
- 帶設(shè)備的真空計
- 用于沉積速率測量和厚度監(jiān)測器的石英天平，帶有 Z 機械手，用于測量焦點的速率
- 用于樣品架和目標的?Load Lock 室
- 可靠、快速的線性傳輸系統(tǒng)，從負載鎖到工藝室
- Viewports – 帶百葉窗的觀察窗
- 烘烤前帶有集成吹掃管的水冷系統(tǒng)
- Bakeout 系統(tǒng)?
- 系統(tǒng)的可調(diào)節(jié)剛性主機架?
- 帶電子單元的 19 英寸機柜
描述
工藝室包含 6 個靶材和一些用于在襯底上沉積的材料。該階段適用于直徑最大2英寸的樣品，具有冷卻/加熱和旋轉(zhuǎn)選項。自動或手動 PLD 系統(tǒng)能夠毫不費力地將目標和基板從負載鎖轉(zhuǎn)移到 PLD 機械手站。?
工藝腔室配有 UHV 標準的連接法蘭，用于連接當前和未來的設(shè)備，包括：?
- 激光
- 具有一定溫度范圍的基板機械手，
- 目標縱器 /
- 帶電源的離子源，用于清潔、蝕刻或活化基板表面，
- 泵送系統(tǒng)（基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵），
- 帶設(shè)備的真空計，
- 用于線性傳輸系統(tǒng)的入口，例如來自負載鎖、徑向分配室、傳輸隧道或運輸箱，
- 帶 Z 機械手的石英天平，
- RHEED/TorrRHEED 與設(shè)備，
- 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近層或掩模，
- 額外的氣體劑量，例如。對于反應(yīng)沉積過程，
- viewports – 帶百葉窗的觀察窗，
- 殘余氣體分析儀 /
- 光束通量監(jiān)測器 /
- 診斷設(shè)備的加熱視口。
最終的設(shè)計和功能取決于系統(tǒng)配置。?
如果需要，系統(tǒng)的模塊化設(shè)計允許通過徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺進行組合和集成。?
泵送系統(tǒng)與工藝室的標準容積相結(jié)合，可達到 1×10 范圍內(nèi)的極限壓力-8– 5×10-11mbar，具體取決于泵的配置。泵送系統(tǒng)是不同類型泵的組合，例如前級真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪分子泵或鈦升華泵，根據(jù)特定應(yīng)用需求單獨選擇以實現(xiàn)最佳泵送性能。?
Synthesium?過程控制軟件允許各種類型和制造商的來源進行集成和完美合作，并實現(xiàn)輕松的配方編寫、自動生長控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于 Tango 開源設(shè)備集成新的附加組件。
該系統(tǒng)配備了先進、易于使用的電源和電子設(shè)備，用于控制和支持離子源和整個包含的研究設(shè)備。
選項
- RHEED/TorrRHEED?帶設(shè)備
- 電動或手動快門（跟隨基材），用于鄰近圖層或掩模
- 激光功率傳感器
- 額外的儲存室
- 內(nèi)部防護罩
- 防止交叉污染的防護罩
- 真空手提箱（運輸箱），在負載鎖室中帶端口
- 額外的氣體計量，例如。用于反應(yīng)沉積工藝
- 殘余氣體分析儀
- 光束通量監(jiān)測器
- 診斷設(shè)備的加熱視窗
- 高溫計
- 橢圓儀
- 通過PLC單元和Synthesium軟件完全控制沉積過程和設(shè)備
