磁控管源 |2 英寸靶材
磁控管源，用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。適用于?2 英寸直徑的目標(biāo)。
根據(jù)濺射過程所需的條件，我們提供兩種類型的源：B型?和C型。
所有類型都與我們的 M600DC-PS 電源以及市場(chǎng)上的所有其他 DC、RF 和脈沖直流電源完全兼容。
源類型A
A 型磁控管源用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。源與 UHV 條件兼容。由于集成了原位傾斜系統(tǒng)，它可以用于標(biāo)準(zhǔn)和定制幾何形狀的腔室。通過使用圓頂型設(shè)計(jì)，我們最大限度地減少了打開百葉窗所需的空間。
| 安裝法蘭 | DN 63 CF、DN 100 ISO-K* |
| 最大功率（直流模式） | 400 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 400 瓦射頻 ** |
| 最大電壓 DC | 1200 伏 |
| 連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
| 目標(biāo) | |
| 形式 | 循環(huán) |
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 6 毫米 |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進(jìn)水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
| 磁鐵材料 | 硼化釹鐵 （NdFeB） |
| 磁體最高溫度 | 200°C |
| 內(nèi)部氣動(dòng)百葉窗 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺動(dòng)型 |
| 原位傾斜模塊 | 是的，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 40.87 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鈦 | 10.82 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鐵 | 15.94 nm/min（距離：150 mm;目標(biāo)厚度：1 mm）*** |
| 內(nèi)部進(jìn)氣口 | 是（VCR 標(biāo)準(zhǔn)） |
| 工作氣體 | 氦氣 |
| 最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源類型B
B 型磁控管源用于在濺射工藝中涂覆具有高均勻性的薄層。源與 UHV 條件兼容。該源設(shè)計(jì)用于濺射磁性和鐵磁性材料。它可以在厚達(dá) 7 mm 的目標(biāo)上運(yùn)行。
| 安裝法蘭 | DN 63 立方英尺 |
| 最大功率（直流模式） | 400 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 400 瓦射頻 ** |
| 最大電壓 DC | 1200 伏 |
| 連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
| 目標(biāo) | |
| 形式 | 戒指 |
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 1 – 7 mm （磁性和非磁性） |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進(jìn)水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
| 磁鐵材料 | 釤鈷 （SmCo） |
| 磁體最高溫度 | 350°C |
| 內(nèi)部氣動(dòng)百葉窗 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺動(dòng)型 |
| 原位傾斜模塊 | 是的，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 32.84 nm/min（距離：160 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鈦 | 10.07 nm/min（距離：160 mm;靶材厚度：3 mm）*** |
| 鐵 | 9.63 nm/min（距離：160 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 內(nèi)部進(jìn)氣口 | 是（VCR 標(biāo)準(zhǔn)） |
| 工作氣體 | 氦氣 |
| 最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
源類型C
C 型磁控管源與 RF 和 DC 兼容，可以沉積許多類別的材料：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。該源可以創(chuàng)建均勻、均勻和小晶粒的薄膜;具有高密度（低空隙面積）、高鏡面反射率（反射率）以及無(wú)輻射損傷和斷裂鍵等優(yōu)點(diǎn)。
| 安裝法蘭 | MS2/63C1?型號(hào)為 DN 63CF 或 DN 63ISO-K，MS2 /100C1?型號(hào)為 DN 100CF 或 DN 100ISO-K |
| 最大功率（直流模式） | 400 瓦直流 ** |
| 最大功率（RF 模式） | 400 瓦射頻 ** |
| 最大電壓 DC | 1200 伏 |
| 連接器 DC/RF | 類型 7/16 |
| 目標(biāo) | Keeper 標(biāo)準(zhǔn) |
| 形式 | 循環(huán) |
| 直徑 | 2 英寸（50.8 毫米）± 0.2 毫米 |
| 厚度 | 非磁性：1-6 mm;磁性：Fe 1mm、Ni 1mm |
| 冷卻 | 間接 |
| ? | 最小 1 升/分鐘 |
| 最高進(jìn)水溫度 | < 28 °C |
| 最大水壓 | 3 巴 |
| 管徑 | ?6×1 毫米 PTFE |
| 磁鐵材料 | 硼化釹鐵 （NdFeB） |
| 磁體最高溫度 | 200 攝氏度 |
| 內(nèi)部氣動(dòng)百葉窗 | 是的 |
| 快門類型 | 圓頂型或平擺動(dòng)型 |
| 原位傾斜模塊 | 是的，范圍 +45° ÷ -10° |
| 煙囪 | 是的 |
| 專用材料： | |
| 200 W 的典型速率 [nm/min]： | |
| 銅 | 34.70 nm/min（距離：100 mm;靶材厚度：3 mm）*** |
| 鈦 | 6.8 nm/min（距離：100 mm;目標(biāo)厚度：3 mm）*** |
| 鐵 | 32.41 nm/min（距離：100 mm;目標(biāo)厚度：1 mm）*** |
| 內(nèi)部進(jìn)氣口 | 是（VCR 標(biāo)準(zhǔn)） |
| 工作氣體 | 氦氣 |
| 最大工作壓力 | 5×10-3– 1×10-1毫巴 |
| 最佳工作壓力 | 5×10-3– 5×10-2毫巴 |
特征
- 帶或不帶原位傾斜模塊
- 安裝法蘭范圍
- 標(biāo)準(zhǔn)煙囪
- 氣動(dòng)圓頂式或側(cè)擺式百葉窗
- 間接冷卻
選項(xiàng)
- 質(zhì)量流量控制器 （MKS MF1）
- 定制長(zhǎng)度
- Z縱器
