波蘭 PREVAC MBE分子束外延設(shè)備 Standard MBE systems 獨(dú)立MBE系統(tǒng)包括沉積工藝室和加載鎖定室,用于簡(jiǎn)單快速地加載襯底。它適用于生長(zhǎng)III/V族、II/VI族以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)等的元素。
MBE分子束外延設(shè)備可提供底部法蘭可更換的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。整個(gè)法蘭可以使用專門設(shè)計(jì)的推車輕松更換,因此可以為您的研究提供各種不同的來(lái)源配置和選項(xiàng)。
MBE分子束外延設(shè)備可包含10個(gè)用于蒸發(fā)源的端口,襯底臺(tái)適用于直徑高達(dá)4英寸的樣品,并可選擇加熱和旋轉(zhuǎn)。沉積過(guò)程可以在較寬的溫度范圍內(nèi)(從LN2到1400?C)進(jìn)行控制,并且可以通過(guò)PLC控制器進(jìn)行完全的軟件編程和控制。
MBE分子束外延設(shè)備配有超高壓標(biāo)準(zhǔn)的連接法蘭,用于連接當(dāng)前和未來(lái)的設(shè)備,包括:
最多10個(gè)帶法蘭DN 63CF(高溫或低溫、單絲或多絲)的光源,
帶法蘭DN 63CF的獨(dú)立百葉窗,
帶有電源的閥式裂解器源,
帶電源的大功率電子槍,
具有溫度范圍(從LN2到1400?C)的基板操縱器,
泵送系統(tǒng)(基于備用泵、TMP、離子泵和TSP泵),
帶設(shè)備的真空計(jì),
用于線性傳輸系統(tǒng)的入口,例如來(lái)自負(fù)載鎖、徑向分配室、傳輸通道或傳輸箱的入口,
帶Z操作器的石英天平,
RHEED/TorrHEED帶設(shè)備,
用于相鄰層或掩模的電動(dòng)或手動(dòng)快門(跟隨襯底),
額外的氣體配量系統(tǒng),例如用于反應(yīng)沉積過(guò)程,
視口–帶百葉窗的觀察窗,
殘余氣體分析儀,
光束通量監(jiān)測(cè)器,
診斷設(shè)備的加熱視口。
最終設(shè)計(jì)和功能取決于系統(tǒng)配置。
如果需要,該系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)允許通過(guò)徑向分布傳輸解決方案或傳輸隧道與任何其他研究平臺(tái)相結(jié)合和集成。
泵送系統(tǒng)與MBE分子束外延設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)容積相結(jié)合,可根據(jù)泵的配置達(dá)到5×10-10–5×10-11毫巴的基本壓力。泵送系統(tǒng)是不同類型的泵的組合,例如前真空泵、離子泵、低溫泵、渦輪泵或鈦升華泵,根據(jù)具體應(yīng)用需求單獨(dú)選擇以實(shí)現(xiàn)最佳泵送性能。
Synthesis過(guò)程控制軟件允許各種類型和制造商的來(lái)源進(jìn)行集成和完美合作,并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的配方編寫(xiě)、自動(dòng)生長(zhǎng)控制和廣泛的數(shù)據(jù)記錄。允許基于Tango開(kāi)源設(shè)備集成新的附加組件。
MBE分子束外延設(shè)備配備了先進(jìn)、易于使用的電源和電子設(shè)備,用于控制和支持電源和整個(gè)研究設(shè)備。
波蘭 PREVAC MBE分子束外延設(shè)備 Standard MBE systems主要特征:
適用于MBE生長(zhǎng)工藝領(lǐng)域大多數(shù)研究需求的通用解決方案
適用于生長(zhǎng)III/V、II/VI族元素以及其他異質(zhì)結(jié)構(gòu)
DN 63CF端口中最多10個(gè)蒸發(fā)源,帶電源
帶電源的帶閥門的裂解器源
帶電源的大功率電子槍
1-4軸電動(dòng)或手動(dòng)操作器,帶接收站,能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)1400°C的高溫(具有由固體SiC制成的穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命的加熱器元件)
基板支架尺寸范圍:從10×10毫米到4英寸
基本壓力為5×10-10至5×10-11毫巴
工藝室直徑為300或450 mm,帶有可更換的底部法蘭(例如,最多10個(gè)DN 63CF端口,用于處理室直徑為450 mm的蒸發(fā)源)
泵送系統(tǒng)(基于背壓泵、TMP、離子泵和TSP)
用于沉積速率測(cè)量和厚度監(jiān)視器的石英天平,帶Z機(jī)械手測(cè)量焦點(diǎn)中的速率
帶設(shè)備的RHEED/TorrHEED
63CF端口上的附加獨(dú)立百葉窗
樣品架裝載用裝載閘室
從負(fù)載鎖定到?處理室
內(nèi)部屏蔽
帶設(shè)備的真空計(jì)
視口-帶快門的觀察窗
烘烤前帶有集成排氣管線的冷卻系統(tǒng)
烘烤系統(tǒng)
系統(tǒng)的可調(diào)節(jié)剛性主框架
19“帶電子單元的機(jī)柜
Applications | Sources | |||
Effusion cell | E-beam evaporators | Valved Cracker Source | Sublimation Source | |
Metals | Al, Co, Ni, Cu (etc.) | Mo, Pd, Ta, W, Pt | ||
group III/V | Be, Al, Ga, In | P, As, Sb | C, Si doping | |
group II/VI | Be, Zn, Cd | S, Se, Te | ||
group IV | Ge, Sn, Pb | Si, Ge | B, P, Sb doping | |
Oxides | Mn, Fe, Ni, Ga, Bi, Eu | |||
Topological Insulators (TI) | Ge, Sn, Te, Bi, GeSb | B | Se, Te |