VariGATR™ 掠角 ATR 附件是分析半導體和金屬襯底上單層層的革命性方法。VariGATR™ 是可變角度的,因此可以優(yōu)化入射角,以獲得這些類型樣品的最高靈敏度。其專門設(shè)計的壓力涂抹器經(jīng)過優(yōu)化,可在樣品和 Ge ATR 晶體之間提供良好的接觸。VariGATR™ 非常適合快速、可重復的測量,并且相對于掠射角方法,靈敏度至少提高了一個數(shù)量級。此外,它還提供了一個易于使用、完全預對準的水平采樣附件,非常方便。
特征
- 方便的水平采樣表面。
- 內(nèi)置壓力涂抹器,帶滑動離合器,可實現(xiàn)可重復的壓力應(yīng)用。
- 從 60o 到 65o 的連續(xù)可變角度允許優(yōu)化以獲得最大靈敏度。
- 消隙機構(gòu)允許準確、可重復的角度選擇。
- 鑲嵌的 Ge ATR 晶體。
- 可容納直徑達 8 英寸的樣品,可對直徑達 6 英寸的圓盤進行中心采樣。
- PermaPurge™ 用于快速清洗系統(tǒng)。
- 選項包括: