美國(guó) Universitywafer 用于研究和生產(chǎn)的鍺 （Ge） 晶圓

用于制造納米材料的鍺晶片

鍺 （Ge） 晶片是第一個(gè)用于制造第一個(gè)晶體管的襯底。但與硅相比，Ge 價(jià)格昂貴，硅取代 Ge 成為半導(dǎo)體器件中使用最多的材料。但研究人員正在努力用鍺未來芯片取代硅，因?yàn)樗梢允构I(yè)界使集成電路更高效、更靈活、更節(jié)能。

（cz） 鍺 （Ge）

基于基因和襯底的 LED，用于芯片的小型化，但正在開發(fā)和研究許多其他實(shí)施方案，以探索鍺的未來潛力基于本公開的改進(jìn)的硅錠性能可能包括所得的晶片、所得太陽能電池和其他利用目前公開的鍺富集步驟的應(yīng)用。鍺的高導(dǎo)電性和低生產(chǎn)成本可以幫助半導(dǎo)體行業(yè)制造比硅具有更高功率密度和更低功耗的集成電路。事實(shí)證明，Ge 是生產(chǎn)下一代芯片和其他半導(dǎo)體相關(guān)應(yīng)用的更高效、更具成本效益的基板。

以下是一些可用的 CZ Ge 晶圓：

CZ Ge
直徑：200+/-0.1mm
厚度：2+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

CZ Ge
直徑：200+/-0.1mm
厚度：4+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

Cz Ge
直徑：50+/-0.1mm
厚度：1+/-0.1mm
表面處理：雙面拋光
S/D：60/40

用于長(zhǎng)波/中波紅外實(shí)驗(yàn)的鍺晶片

鍺 （Ge） 襯底

我們有大量的電氣和光學(xué)級(jí)鍺單面和雙面拋光晶片庫存，隨時(shí)可以發(fā)貨。

雜質(zhì)原子被稱為雜質(zhì)的五倍，因?yàn)樽钔鈱拥奈鍌€(gè)價(jià)電子與相鄰原子共享一個(gè)自由電子。每個(gè)電子在每個(gè)原子上都有一個(gè)電子，因此原子處的自由電子總數(shù)隨著彼此之間的距離而增加。