美國 UNIVERSITY WAFER 單面拋光 （SSP） 硅片 晶圓
單面拋光硅片
我們有各種各樣的單面拋光 （SSP） 晶圓庫存。我們的厚度從 100 微米到 10 毫米不等。我們的平面度規(guī)格低至 1 微米的總厚度變化 （TTV）
什么是單面拋光硅片及其應(yīng)用
加工單面拋光硅片的過程將機(jī)械拋光與光學(xué)干涉測(cè)量相結(jié)合。這些硅片的總厚度可以使用高速激光進(jìn)行測(cè)量。此外，該過程快速準(zhǔn)確。厚度范圍為 41 至 122 nm。使用的波長通常是近紅外的，波長由光學(xué)探頭接收到的脈沖數(shù)決定。
| 項(xiàng)目 | 類型/摻雜劑 | 東方。 | 直徑 （mm） | Thck （嗯） | 油料 | 電阻率 ohm-cm | 評(píng)論 |
| K148 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 300 | SSP | FZ?>20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| D355 系列 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 320 | SSP | FZ?>20,000 | Prime， NO Flats， Soft cst |
| 5447 | 本征 Si： | [100] | 1″ | 500 | SSP | FZ?>20,000 | SEMI Prime，1Flat，硬質(zhì) cst |
| 5275 | P型Si：B | [100] | 1″ | 1,000 | SSP | 130 | SEMI Prime，1Flat，硬質(zhì) cst |
| L678 系列 | P Si：B | [100] | 1″ | 3,000 | SSP | 150 | Prime、NO Flats、單個(gè) cst、13 片晶圓組 |
| 5092 | P Si：B | [100] | 1″ | 275 | SSP | 0.0150.020 | SEMI Prime， 1Flat， 軟 cst |
| S5554 系列 | P Si：B | [111] ±0.25° | 3″ | 400 | SSP | FZ?>100 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 4994 | n型 Si：P | [100] ±0.1° | 3″ | 380 | SSP | FZ?>5,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| I978 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 4,0008,000 斐濟(jì)元 | SEMI Prime， 1Flat， 1 & 2 片晶圓的硬盒 |
| 編號(hào) E383 | n型 Si：P | [111] ±0.5° | 3″ | 380 | SSP | 3,0005,000 斐濟(jì)元 | SEMI Prime， 1Flat， 在 Empak 中， Lifetime>1,000？s， |
| 6773 | 本征 Si： | [100] | 3″ | 380 | SSP | FZ?>20,000 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| 6116 | P Si：B | [100] | 3″ | 5,000 | SSP | 130 | Prime， 無 Flats， Individual cst |
| 3014 | P Si：B | [100] | 3″ | 250 | SSP | 0.150.20 | SEMI TEST（劃痕），2 個(gè)平面，密封的 Empak 包埋盒，3 個(gè)晶圓 |
| S5843 系列 | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 230 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m |
| 2248 | P Si：B | [100] | 3″ | 300 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 第 S5844 號(hào) | P Si：B | [1004° 朝向[110]] ±0.5° | 3″ | 381 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m， 4 和 20 片晶圓盒 |
| C260 系列 | P Si：B | [110] ±0.5° | 4″ | 500 | SSP | FZ?>15,000 {16,45318,686} | Prime， 2Flats， SEMI Flats， PF 在 <111>， SF 在 <111> 70.5° CW 來自 PF， Empak cst |
| 6268 | P Si：B | [110] ±0.5° | 4″ | 500 | SSP | 10,000 菲律賓比索 > | Prime， 2Flats， TTV<5？m， SEMI Flats， PF at <111>， SF at <111> 70.5° CW from PF， Empak cst |
| 6927 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 110 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 6632 | P Si：B | [100] | 4″ | 1,000 | SSP | 15 | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<5？m |
| 4829 | P Si：B | [100] | 4″ | 2,100 | SSP | 1100 | SEMI Prime，1Flat，單個(gè) cst，5 片晶圓組 |
| 6521 | P Si：B | [100] | 4″ | 2,100 | SSP | 1100 | SEMI Prime， 1Flat， Individual cst， 手動(dòng)封邊， 2 + 10 + 10 片晶圓的組數(shù) |
| 6575 | P Si：B | [100] | 4″ | 3,000 | SSP | 130 | SEMI Prime， 2 平， Individual cst |
| 6592 | P Si：B | [100] | 4″ | 5,000 | SSP | 1100 | Prime、NO Flats、Individual cst、Group of 3 wafer |
| 6854 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 0.10.2 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 3031 | P Si：B | [1006° 朝向[110]] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.0150.020 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| 6349 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m |
| H548 系列 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 0.0150.00 | SEMI 測(cè)試，1Flat，Empak cst |
| 6719 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 0.0010.005 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst， TTV<5？m |
| 6900 | P Si：B | [100] | 4″ | 525 | SSP | 0.0010.005 | SEMI Prime， 2Flats， Empak cst |
| I374 號(hào) | P Si：B | [111] | 4″ | 350 | SSP | 23 | Prime， NO Flats， Empak cst |
| TS043型 | P Si：B | [1112.5°] ±1° | 4″ | 450 | SSP | 28 {3.84.8} | SEMI Prime， 1Flat， {實(shí)際 （449457）？m 厚}， Empak cst |
| D372 系列 | P Si：B | [1113°] | 4″ | 400 | SSP | 0.0150.018 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| TS008 系列 | P Si：B | [111] ±1° | 4″ | 380 ±10 | SSP | 0.0100.015 {0.01240.0136} | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<8？m |
| 4279 | P Si：B | [1114°] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
| F508 系列 | P Si：B | [111] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<3？m， Bow<10？m， Warp<30？m |
| G508 系列 | P Si：B | [111] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<3？m， Bow<10？m， Warp<30？m |
| TS033型 | P Si：B | [1114°] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 {0.01400.0186} | SEMI Prime， 1Flat， 背面： HardDamage， Empak cst |
| TS077 系列 | P Si：B | [1114°] ±0.5° | 4″ | 525 | SSP | 0.010.02 {0.01400.0186} | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst （4+5+5+10+15+20 片晶圓） |
| TS038型 | P Si：B | [1113.5°] ±0.5° | 4″ | 525 ±15 | SSP | 0.0070.009 {0.00710.0085} | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<5？m |
| TS069型 | P Si：B | [1113.5°] ±0.5° | 4″ | 525 ±15 | SSP | 0.0070.009 {0.00710.0085} | SEMI Prime， 1Flat， Empak cst， TTV<5？m |
| TS031型 | P Si：B | [1113.5°] ±1° | 4″ | 475 | SSP | 0.0050.020 {0.01380.0150} | SEMI Prime， 1Flat， 背面酸蝕， Empak cst |
| TS007 系列 | P Si：B | [110] ±0.25° | 6″ | 625 ±15 | SSP | 1020 {13.613.9} | SEMI Prime， 1 JEIDA 平面 47.5mm @ <111>±0.5°， LaserMark， TTV<2？m， Warp<10？m， Empak cst |
| TS072型 | P Si：B | [110] ±0.25° | 6″ | 625 ±15 | SSP | 1020 | SEMI Prime， 1 JEIDA 平面 （47.5mm） @ <111>±0.5°， 激光打標(biāo)， TTV<3？m， 弓<5？m， 翹曲<10？m， Empak cst |
| 6427 | P Si：B | [110] | 6″ | 675 | SSP | 0.010.02 | 主用， PFlat @ [111]±0.25°， SF @ [111]±5° 109.5° CW from PF， Empak cst |
| TS054型 | P Si：B | [100] | 6″ | 675 | SSP | 1525 {16.121.7} | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst， TTV<5？m |
| 6287 | P Si：B | [100] | 6″ | 675 | SSP | 510 | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst |
| 6751 | P Si：B | [100] | 6″ | 1,000 | SSP | 510 | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst |
| 6358 | P Si：B | [1006° 朝向[111]] ±0.5° | 6″ | 675 | SSP | 130 | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst |
| 編號(hào) N698 | P Si：B | [100] | 6″ | 675 | SSP | 1100 | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst |
| TS055型 | P Si：B | [100] | 6″ | 675 ±15 | SSP | 0.010.02 {0.01020.0133} | SEMI Prime， 1平面 （57.5mm）， Empak cst |
| 6005 | P Si：B | [100] | 6″ | 320 | SSP | 0.001-0.030 | JEIDA Prime， Empak cst |
