美國 Universitywafer UV、JGS1、JGS2、JGS3熔融石英晶圓

美國 Universitywafer UV、JGS1、JGS2、JGS3熔融石英晶圓

用于制造 MEMS 器件的低導(dǎo)熱性熔融石英

一位研究微機(jī)電系統(tǒng)?（MEMS） 的博士要求為他們的項(xiàng)目提供熔融石英襯底的報(bào)價(jià)。

我們正在將其視為一些需要構(gòu)建薄膜的?MEMS 器件的可能襯底。我們通常使用 Si 晶圓進(jìn)行，并通過晶圓進(jìn)行背蝕刻。我們對(duì)二氧化硅感興趣，因?yàn)樗膶?dǎo)熱性低。

熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片等電子設(shè)備。熔融石英，也稱為熔融石英，是一種高純度和透明的二氧化硅形式，是通過在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強(qiáng)的耐熱性、耐化學(xué)性和耐化學(xué)性，使其成為電子設(shè)備生產(chǎn)中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低，它們還用于生產(chǎn)光學(xué)元件，例如鏡頭和鏡子。

直徑

厚 （um）

波蘭語

50.8 毫米500 微米DSP

JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm，背面粗糙度 Ra <1nm，S/D 40/20

50.8 毫米100 微米DSP
76.2 毫米500 微米DSP

1 平面 JGS2 初級(jí)平面 32.5+/-2mm，頂部 Ra <10A，S/D 40/20

100 毫米500 微米DSP

機(jī)械級(jí)熔融石英

100 毫米500 微米DSP
100 毫米1000 微米DSP

熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um， TTV <10um， 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm， S/D 60/40 平面： 32.5+/-2mm

100 毫米700 微米DSP
100 毫米180 微米DSP

熔融石英晶圓，JGS2，C 坡口，2.50 mm +/- 0.10 mm

100 毫米2500 微米DSP

用于紅外 （IR） 應(yīng)用的 Corning 7979 熔融石英晶圓

以下窗口已用于研究人員的紅外研究。

報(bào)價(jià)編號(hào)

直徑

厚

油料

品牌 /等級(jí)

頂部 Ra

背面 Ra

U01-W1-T-200812-1100 +/-0.2 毫米0.5+/- 0.05 毫米DSPCorning 7979<0.5納米<0.5納米
U01-W1-T-200812-2100 +/-0.2 毫米0.5+/- 0.05 毫米DSPCorning 7978<0.5納米<0.5納米

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